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Microchip Technology
APT75GP120B2G
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 1042000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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Conforme RoHS
TUBE Imballaggio
Descrizione
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 1042000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Parole chiave di ricerca: APT75GP120B2G
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:Microchip Technology
-
Codice componente:APT75GP120B2G
-
Unità di misura:per pezzo
-
RoHS :sì
-
HTS:8541290095
-
ECCN:EAR99
-
Confezione standard del fornitore:
1 -
Tensione gate-emettitore massima:±20 V
-
Configurazione:Single6975
-
Dimensione:16.266976mm(Max) x 5.31(Max) x 21.46(Max)mm
-
Corrente di dispersione massima gate-emettitore:0.1 uA
-
Tensione massima collettore-emettitore:1200 V
-
Corrente di collettore continua massima:100 A
-
Famiglia:APT75GP120B2
-
Tipo di canale:N6974
-
Dissipazione di potenza massima:1042000 mW
Strumenti/Modelli 3D
+
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EE CASSETTA DEGLI ATTREZZI
risorse
+
Scheda tecnica
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