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Microchip Technology
APT50GT120B2RG
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 625000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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Conforme RoHS
TUBE Imballaggio
Descrizione
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Trans IGBT Chip N-CH 1200V 94A 625000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Parole chiave di ricerca: APT50GT120B2RG
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:Microchip Technology
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Codice componente:APT50GT120B2RG
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :sì
-
HTS:8541290095
-
ECCN:EAR99
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Confezione standard del fornitore:
1 -
Corrente di dispersione massima gate-emettitore:0.3 uA
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Corrente di collettore continua massima:94 A
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Famiglia:APT50GT120B2R
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Dissipazione di potenza massima:625000 mW
-
Tensione massima collettore-emettitore:1200 V
-
Dimensione:16.266976mm(Max) x 5.31(Max) x 21.46(Max)mm
-
Tipo di canale:N6974
-
Tensione gate-emettitore massima:±30 V
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Configurazione:Single6975
Strumenti/Modelli 3D
+
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EE CASSETTA DEGLI ATTREZZI
risorse
+
Scheda tecnica
Domande frequenti
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