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Bourns
BSDV10G120E2
Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 10A - Vr: 1200V - Vf: 1.42V - -55°C to 175°C - TO247-2
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Conforme RoHS
TUBE Imballaggio
Certificato di conformità
Descrizione
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Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 10A - Vr: 1200V - Vf: 1.42V - -55°C to 175°C - TO247-2
Parole chiave di ricerca: BSDV10G120E2
Specifiche
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Attributo prodottoValore attributo Seleziona attributo
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fornitore:Bourns
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Codice componente:BSDV10G120E2
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Unità di misura:per pezzo
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RoHS :sì
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HTS:8541290095
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COO:CN
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ECCN:EAR99
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Confezione standard del fornitore:
600
risorse
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Domande frequenti
BSDV10G120E2 è conforme alla direttiva RoHS?
Sì, BSDV10G120E2 è conforme alla direttiva RoHS.
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