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Samsung Semiconductor
IRF820
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Attribut du produitValeur de l'attribut Sélectionner un attribut
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fournisseur:Samsung Semiconductor
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Référence:IRF820
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Unité de mesure:Par unité
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RoHS:Non
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ECCN:EAR99
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Conditionnement standard du fournisseur:
50 -
Résistance drain-source maximale:3000@10V mOhm
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Mode de canal:Enhancement
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Dimension:10.1(Max) x 4.7(Max) x 9.4(Max) mm
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Courant de drain continu maximal:2.5 A
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Famille:IRF820
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Type de canal:N
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BOÎTE À OUTILS EE
Fiche technique
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