Les transistors SiC (carbure de silicium) de GeneSiC,  Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor ou Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFET), offrent une tension de blocage plus élevée avec une résistance à l'état passant plus faible et une conductivité thermique supérieure par rapport aux alternatives en silicium. Ils peuvent être utilisés pour des applications de conversion de puissance à moyenne tension telles que la traction, l'alimentation pulsée et les infrastructures de réseaux intelligents.

Les MOSFET SiC bare die 6,5k de GeneSic sont désignés G2R300MT65-CAL et G2R325MS65-CAL, avec des modules SiC complets utilisant cette technologie qui seront bientôt commercialisés, a indiqué l'entreprise à Electronics Weekly.

«Ce dispositif peut être utilisé dans une variété de circuits de conversion de puissance. Parmi les autres avantages figurent des performances bidirectionnelles plus efficaces, une commutation indépendante de la température, de faibles pertes de commutation et de conduction, des besoins de refroidissement réduits, une excellente fiabilité à long terme, une mise en parallèle facilitée des dispositifs et des avantages en termes de coûts », a expliqué Electronics Weekly.

Les dispositifs de GeneSiC présentent une structure de semi-conducteur métal-oxyde à double implantation SiC (DMOSFET) avec un redresseur Schottky à barrière de jonction (JBS) intégré à la cellule unitaire du DMOSFET SiC. Les applications attendues incluent la traction, l'alimentation pulsée, les infrastructures de réseaux intelligents et d'autres convertisseurs de puissance à moyenne tension.

Les dispositifs sont :

G2R300MT65-CAL – MOSFET SiC G2RTM 6,5 kV 300 mΩ, Bare Chip

G2R325MS65-CAL – MOSFET SiC G2RTM 6,5 kV 325 mΩ (avec Schottky intégré), Bare Chip

G2R100MT65-CAL – MOSFET SiC G2RTM 6,5 kV 100 mΩ, Bare Chip