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Vishay
SISS04DN-T1-GE3
MOSFET Transistor - N-Channel - 30V Drain to Source Voltage - 50.5A(Ta) / 80A(Tc) Continuous Drain Current - +16V/-12V Vgs - P ...
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Conforme RoHS
Description
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MOSFET Transistor - N-Channel - 30V Drain to Source Voltage - 50.5A(Ta) / 80A(Tc) Continuous Drain Current - +16V/-12V Vgs - PowerPAK 1212-8S Package.
Mots-clés de recherche: SISS04DNT1GE3
spécification
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Attribut du produitValeur de l'attribut Sélectionner un attribut
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fournisseur:Vishay
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Référence:SISS04DN-T1-GE3
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Unité de mesure:Par unité
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RoHS:Oui
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HTS:8541290095
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COO:CN
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ECCN:EAR99
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Conditionnement standard du fournisseur:
1
Outils/Modèles 3D
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BOÎTE À OUTILS EE
ressources
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Fiche technique
Questions fréquemment posées
Le produit SISS04DN-T1-GE3 est-il conforme à la directive RoHS ?
Oui, le produit SISS04DN-T1-GE3 est conforme à la directive RoHS.
Quel est le délai de livraison de SISS04DN-T1-GE3 ?
Le délai de livraison standard de SISS04DN-T1-GE3 est d’environ 8 jours. Les quantités en stock sont expédiées par OnlineComponents.com.
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