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Samsung Semiconductor
IRF820
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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| Attribut du produit | Valeur de l'attribut Sélectionner un attribut |
|---|---|
| fournisseur: | Samsung Semiconductor |
| Référence: | IRF820 |
| Unité de mesure: | Par unité |
| RoHS: | Non |
| HTS: | 8541290055 |
| ECCN: | EAR99 |
Conditionnement standard du fournisseur:
|
50 |
| Résistance drain-source maximale: | 3000@10V mOhm |
| Mode de canal: | Enhancement |
| Dimension: | 10.1(Max) x 4.7(Max) x 9.4(Max) mm |
| Courant de drain continu maximal: | 2.5 A |
| Famille: | IRF820 |
| Type de canal: | N |
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