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NVH4L080N120SC1
Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 8 ...
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Certificat de conformité
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Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 80 m?, TO247?4L
Mots-clés de recherche: NVH4L080N120SC1
spécification
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Attribut du produitValeur de l'attribut Sélectionner un attribut
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fournisseur:onsemi
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Référence:NVH4L080N120SC1
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Unité de mesure:Par unité
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RoHS:Non
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HTS:8541290095
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COO:KR
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ECCN:EAR99
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Conditionnement standard du fournisseur:
30
Outils/Modèles 3D
+
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BOÎTE À OUTILS EE
ressources
+
Fiche technique
Questions fréquemment posées
Le produit NVH4L080N120SC1 est-il conforme à la directive RoHS ?
Non, le produit NVH4L080N120SC1 n’est pas conforme à la directive RoHS.
Quel est le délai de livraison de NVH4L080N120SC1 ?
Le délai de livraison standard de NVH4L080N120SC1 est d’environ 12 jours. Les quantités en stock sont expédiées par OnlineComponents.com.
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