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NTGD4167CT1G by onsemi

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NTGD4167CT1G

A complementary Power MOSFET featuring both an N-Channel and a P-Channel device with a 30V drain-source voltage rating in a du ...

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A complementary Power MOSFET featuring both an N-Channel and a P-Channel device with a 30V drain-source voltage rating in a dual TSOP-6 package.
Mots-clés de recherche: NTGD4167CT1G
spécification +
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  • fournisseur:
    onsemi
  • Référence:
    NTGD4167CT1G
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    Par unité
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    Oui
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    TW
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    3000
Symbole, empreinte et modèle 3D
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Questions fréquemment posées
Le produit NTGD4167CT1G est-il conforme à la directive RoHS ?
Oui, le produit NTGD4167CT1G est conforme à la directive RoHS.
Quel est le délai de livraison de NTGD4167CT1G ?
Le délai de livraison standard de NTGD4167CT1G est d’environ 65 semaines. Les quantités en stock sont expédiées par OnlineComponents.com.
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