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onsemi
NCV57001FDWR2G
Isolated high current and high efficiency SiC/MOSFET/IGBT gate driver with internal galvanic isolation Isolated High Current I ...
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| Attribut du produit | Valeur de l'attribut Sélectionner un attribut |
|---|---|
| fournisseur: | onsemi |
| Référence: | NCV57001FDWR2G |
| Unité de mesure: | Par unité |
| RoHS: | Oui |
| HTS: | 8542390070 |
| COO: | US |
| ECCN: | EAR99 |
Conditionnement standard du fournisseur:
|
1000 |