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MJD31CG
onsemi
3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
Fiche technique ACCESSOIRES M'avertir
Non-Compliant
Garantie du certificat de conformité
Description
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3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
Search Keywords: MJD31CG
spécification
+
-
Attribut du produitValeur de l'attribut Sélectionner un attribut
-
fournisseur:onsemi
-
Référence:MJD31CG
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Unité de mesure:Par Each
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RoHS:No
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HTS:8541290095
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COO:CN
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ECCN:EAR99
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Référence:
75 -
Dimension:6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.38(Max) mm
-
Tension collecteur-base maximale:100 V
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Famille:MJD31C
Outils/Modèles 3D
+
-
BOÎTE À OUTILS EE
ressources
+
Fiche technique
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€0.5255
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