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onsemi
MJD127T4G
8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
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Non-Compliant
Certificat de conformité
Description
+
8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Mots-clés de recherche: MJD127T4G
spécification
+
-
Attribut du produitValeur de l'attribut Sélectionner un attribut
-
fournisseur:onsemi
-
Référence:MJD127T4G
-
Unité de mesure:Par unité
-
RoHS:Non
-
HTS:8541290095
-
COO:MY
-
ECCN:EAR99
-
Conditionnement standard du fournisseur:
2500 -
Tension collecteur-émetteur maximale:100 V
-
Tension collecteur-base maximale:100 V
-
Famille:MJD127
-
Tension de saturation base-émetteur maximale:4.5@80mA@8A V
-
Dimension:6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.38(Max) mm
-
Tension de saturation collecteur-émetteur maximale:2@16mA@4A,4@80mA@8A V
Outils/Modèles 3D
+
-
BOÎTE À OUTILS EE
ressources
+
Fiche technique
Questions fréquemment posées
Le produit MJD127T4G est-il conforme à la directive RoHS ?
Non, le produit MJD127T4G n’est pas conforme à la directive RoHS.
Quel est le délai de livraison de MJD127T4G ?
Le délai de livraison standard de MJD127T4G est d’environ 29 jours. Les quantités en stock sont expédiées par OnlineComponents.com.
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