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onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
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| Attribut du produit | Valeur de l'attribut Sélectionner un attribut |
|---|---|
| fournisseur: | onsemi |
| Référence: | MJD112-1G |
| Unité de mesure: | Par unité |
| RoHS: | Non |
| HTS: | 8541290095 |
| COO: | MY |
| ECCN: | EAR99 |
Conditionnement standard du fournisseur:
|
75 |
| Dimension: | 6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm |
| Famille: | MJD112 |
| Tension collecteur-émetteur maximale: | 100 V |
| Tension de saturation base-émetteur maximale: | 4@40mA@4A V |
| Tension collecteur-base maximale: | 100 V |
| Tension de saturation collecteur-émetteur maximale: | 2@8mA@2A,3@40mA@4A V |