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onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
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Attribut du produitValeur de l'attribut Sélectionner un attribut
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fournisseur:onsemi
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Référence:MJD112-1G
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Unité de mesure:Par unité
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RoHS:Non
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HTS:8541290095
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COO:MY
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ECCN:EAR99
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Conditionnement standard du fournisseur:
75 -
Dimension:6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
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Famille:MJD112
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Tension collecteur-émetteur maximale:100 V
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Tension de saturation base-émetteur maximale:4@40mA@4A V
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Tension collecteur-base maximale:100 V
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Tension de saturation collecteur-émetteur maximale:2@8mA@2A,3@40mA@4A V