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onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
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Non-Compliant
Certificat de conformité
Description
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The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
Mots-clés de recherche: MJD1121G
spécification
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Attribut du produitValeur de l'attribut Sélectionner un attribut
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fournisseur:onsemi
-
Référence:MJD112-1G
-
Unité de mesure:Par unité
-
RoHS:Non
-
HTS:8541290095
-
COO:MY
-
ECCN:EAR99
-
Conditionnement standard du fournisseur:
75 -
Tension collecteur-émetteur maximale:100 V
-
Tension collecteur-base maximale:100 V
-
Tension de saturation base-émetteur maximale:4@40mA@4A V
-
Famille:MJD112
-
Tension de saturation collecteur-émetteur maximale:2@8mA@2A,3@40mA@4A V
-
Dimension:6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
ressources
+
Questions fréquemment posées
Le produit MJD112-1G est-il conforme à la directive RoHS ?
Non, le produit MJD112-1G n’est pas conforme à la directive RoHS.
Quel est le délai de livraison de MJD112-1G ?
Le délai de livraison standard de MJD112-1G est d’environ 29 semaines. Les quantités en stock sont expédiées par OnlineComponents.com.
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