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onsemi
HGTD1N120BNS9A
Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| Attribut du produit | Valeur de l'attribut Sélectionner un attribut |
|---|---|
| fournisseur: | onsemi |
| Référence: | HGTD1N120BNS9A |
| Unité de mesure: | Par unité |
| RoHS: | Non |
| HTS: | 8541290095 |
| COO: | KR |
| ECCN: | EAR99 |
Conditionnement standard du fournisseur:
|
2500 |