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FGH60N60SMD
The FGH60N60SMD is a 600V, 60A Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for high-current switching applica ...
Voir la fiche technique ACCESSOIRES M'avertir
Non-Compliant
Certificat de conformité
Description
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The FGH60N60SMD is a 600V, 60A Field Stop Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for high-current switching applications.
Mots-clés de recherche: FGH60N60SMD
spécification
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Attribut du produitValeur de l'attribut Sélectionner un attribut
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fournisseur:onsemi
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Référence:FGH60N60SMD
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Unité de mesure:Par unité
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RoHS:Non
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HTS:8541290095
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COO:KR
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ECCN:EAR99
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Conditionnement standard du fournisseur:
30
Outils/Modèles 3D
+
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BOÎTE À OUTILS EE
ressources
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Fiche technique
Questions fréquemment posées
Le produit FGH60N60SMD est-il conforme à la directive RoHS ?
Non, le produit FGH60N60SMD n’est pas conforme à la directive RoHS.
Quel est le délai de livraison de FGH60N60SMD ?
Le délai de livraison standard de FGH60N60SMD est d’environ 13 jours. Les quantités en stock sont expédiées par OnlineComponents.com.
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