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FDN357N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ

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Emballage
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ
Mots-clés de recherche: FDN357N
spécification +
Attribut du produit Valeur de l'attribut Sélectionner un attribut
fournisseur: onsemi
Référence: FDN357N
Unité de mesure: Par unité
RoHS: Oui
HTS: 8541210095
COO: KR
ECCN: EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Le nombre d’articles, la longueur, le poids ou le volume contenus dans l’emballage d’origine du fournisseur pour un stockage, une manutention et une distribution efficaces. 3000
Symbole, empreinte et modèle 3D
Outils/Modèles 3D +
ressources +
Questions fréquemment posées
Le produit FDN357N est-il conforme à la directive RoHS ?
Oui, le produit FDN357N est conforme à la directive RoHS.
Quel est le délai de livraison de FDN357N ?
Le délai de livraison standard de FDN357N est d’environ 16 semaines. Les quantités en stock sont expédiées par OnlineComponents.com.
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