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FDN357N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ

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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ
Mots-clés de recherche: FDN357N
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  • fournisseur:
    onsemi
  • Référence:
    FDN357N
  • Unité de mesure:
    Par unité
  • RoHS:
    Oui
  • HTS:
    8541210095
  • COO:
    KR
  • ECCN:
    EAR99
  • Emballage en bobine: Ces informations sont destinées aux clients qui préfèrent acheter par multiples de la quantité de conditionnement standard du fabricant. Les quantités minimales et les multiples de commande requis sont indiqués avec le prix et la disponibilité.
    3000
Symbole, empreinte et modèle 3D
Outils/Modèles 3D +
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Questions fréquemment posées
Le produit FDN357N est-il conforme à la directive RoHS ?
Oui, le produit FDN357N est conforme à la directive RoHS.
Quel est le délai de livraison de FDN357N ?
Le délai de livraison standard de FDN357N est d’environ 16 semaines. Les quantités en stock sont expédiées par OnlineComponents.com.
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