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onsemi
FDN357N
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ
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Conforme RoHS
Certificat de conformité
Description
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ
Mots-clés de recherche: FDN357N
spécification
+
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Attribut du produitValeur de l'attribut Sélectionner un attribut
-
fournisseur:onsemi
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Référence:FDN357N
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Unité de mesure:Par unité
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RoHS:Oui
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HTS:8541210095
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COO:KR
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ECCN:EAR99
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Conditionnement standard du fournisseur:
3000
Outils/Modèles 3D
+
-
BOÎTE À OUTILS EE
ressources
+
Fiche technique
Questions fréquemment posées
Le produit FDN357N est-il conforme à la directive RoHS ?
Oui, le produit FDN357N est conforme à la directive RoHS.
Quel est le délai de livraison de FDN357N ?
Le délai de livraison standard de FDN357N est d’environ 30 semaines. Les quantités en stock sont expédiées par OnlineComponents.com.
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