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NXH008P120M3F1PTG
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Silicon Carbid ...
ACCESSOIRES M'avertir
Conforme RoHS
Certificat de conformité
Description
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Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Silicon Carbide (SiC) Module ? EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
Mots-clés de recherche: NXH008P120M3F1PTG
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fournisseur:onsemi
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Référence:NXH008P120M3F1PTG
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Unité de mesure:Par unité
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RoHS:Oui
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HTS:8542390070
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COO:KR
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ECCN:EAR99
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Conditionnement standard du fournisseur:
28
Outils/Modèles 3D
+
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BOÎTE À OUTILS EE
Questions fréquemment posées
Le produit NXH008P120M3F1PTG est-il conforme à la directive RoHS ?
Oui, le produit NXH008P120M3F1PTG est conforme à la directive RoHS.
Quel est le délai de livraison de NXH008P120M3F1PTG ?
Le délai de livraison standard de NXH008P120M3F1PTG est d’environ 19 semaines. Les quantités en stock sont expédiées par OnlineComponents.com.
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