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NXH004P120M3F2PTNG

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbid ...

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Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 4 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package
Mots-clés de recherche: NXH004P120M3F2PTNG
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fournisseur: onsemi
Référence: NXH004P120M3F2PTNG
Unité de mesure: Par unité
RoHS: Oui
HTS: 8541290095
COO: KR
ECCN: EAR99
Conditionnement standard du fournisseur: Le nombre d’articles, la longueur, le poids ou le volume contenus dans l’emballage d’origine du fournisseur pour un stockage, une manutention et une distribution efficaces. 20
Symbole, empreinte et modèle 3D
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Questions fréquemment posées
Le produit NXH004P120M3F2PTNG est-il conforme à la directive RoHS ?
Oui, le produit NXH004P120M3F2PTNG est conforme à la directive RoHS.
Quel est le délai de livraison de NXH004P120M3F2PTNG ?
Le délai de livraison standard de NXH004P120M3F2PTNG est d’environ 10 semaines. Les quantités en stock sont expédiées par OnlineComponents.com.
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