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onsemi
MJD127T4G
8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
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| Attribut du produit | Valeur de l'attribut Sélectionner un attribut |
|---|---|
| fournisseur: | onsemi |
| Référence: | MJD127T4G |
| Unité de mesure: | Par unité |
| RoHS: | Non |
| HTS: | 8541290095 |
| COO: | MY |
| ECCN: | EAR99 |
Conditionnement standard du fournisseur:
|
2500 |
| Tension collecteur-émetteur maximale: | 100 V |
| Tension collecteur-base maximale: | 100 V |
| Famille: | MJD127 |
| Tension de saturation base-émetteur maximale: | 4.5@80mA@8A V |
| Dimension: | 6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.38(Max) mm |
| Tension de saturation collecteur-émetteur maximale: | 2@16mA@4A,4@80mA@8A V |