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- HGTD1N120BNS9A
onsemi
HGTD1N120BNS9A
Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Attribut du produitValeur de l'attribut Sélectionner un attribut
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fournisseur:onsemi
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Référence:HGTD1N120BNS9A
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Unité de mesure:Par unité
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RoHS:Non
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HTS:8541290095
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COO:KR
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ECCN:EAR99
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Conditionnement standard du fournisseur:
2500