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Bourns
BSDV10G120E2
Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 10A - Vr: 1200V - Vf: 1.42V - -55°C to 175°C - TO247-2
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Conforme RoHS
TUBE Emballage
Certificat de conformité
Description
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Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 10A - Vr: 1200V - Vf: 1.42V - -55°C to 175°C - TO247-2
Mots-clés de recherche: BSDV10G120E2
spécification
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Attribut du produitValeur de l'attribut Sélectionner un attribut
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fournisseur:Bourns
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Référence:BSDV10G120E2
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Unité de mesure:Par unité
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RoHS:Oui
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HTS:8541290095
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COO:CN
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ECCN:EAR99
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Conditionnement standard du fournisseur:
600
Outils/Modèles 3D
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BOÎTE À OUTILS EE
ressources
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Fiche technique
Bourns Profile
Questions fréquemment posées
Le produit BSDV10G120E2 est-il conforme à la directive RoHS ?
Oui, le produit BSDV10G120E2 est conforme à la directive RoHS.
Quel est le délai de livraison de BSDV10G120E2 ?
Le délai de livraison standard de BSDV10G120E2 est d’environ 18 semaines. Les quantités en stock sont expédiées par OnlineComponents.com.
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