La conception de cellule à grille divisée et l'injecteur à tunnel d'oxyde épais permettent d'obtenir une meilleure fiabilité et une meilleure facilité de fabrication par rapport aux approches alternatives. Le SST39SF010A effectue l'écriture (Programmation ou Effacement) avec une alimentation de 4,5-5,5V et est conforme aux brochages standard JEDEC pour les mémoires x8.