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IRFR220
Samsung Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
FICHA TÉCNICA Accesorios Notificarme
RoHS no cumple con RoHS
Terminado
Descripción
+
Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Palabras clave de búsqueda: IRFR220
Especificaciones
+
-
Atributo del productoValor de atributo Seleccionar atributo
-
Proveedor:Samsung Semiconductor
-
Nº de pieza:IRFR220
-
Unidad de medida:Por Each
-
RoHS:No
-
ECCN:EAR99
-
Paquete estándar del proveedor:
2500 -
Maximum Drain Source Resistance:800@10V mOhm
-
Maximum Continuous Drain Current:4.6 A
-
Dimension:6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.39(Max) mm
-
Family:IRFR220
-
Channel Type:N
-
Channel Mode:Enhancement
Tools/3D Models
+
-
Caja de herramientas EE
Guías de productos
+
FICHA TÉCNICA
-
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