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IRF820
Samsung Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
FICHA TÉCNICA Accesorios Notificarme
RoHS no cumple con RoHS
Terminado
Tube embalaje
Descripción
+
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Palabras clave de búsqueda: IRF820
Especificaciones
+
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Atributo del productoValor de atributo Seleccionar atributo
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Proveedor:Samsung Semiconductor
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Nº de pieza:IRF820
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Unidad de medida:Por Each
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RoHS:No
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ECCN:EAR99
-
Paquete estándar del proveedor:
50 -
Maximum Drain Source Resistance:3000@10V mOhm
-
Channel Mode:Enhancement
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Dimension:10.1(Max) x 4.7(Max) x 9.4(Max) mm
-
Maximum Continuous Drain Current:2.5 A
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Family:IRF820
-
Channel Type:N
Tools/3D Models
+
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Caja de herramientas EE
Guías de productos
+
FICHA TÉCNICA
-
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