Los dispositivos SiC (carburo de silicio) de GeneSiC  con transistores de efecto de campo de silicio-óxido metálico o transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) ofrecen una tensión de bloqueo más alta, una menor resistencia en estado activo y una mayor conductividad térmica que las alternativas de silicio. Pueden utilizarse en aplicaciones de conversión de potencia de media tensión, como tracción, potencia pulsada e infraestructura de redes inteligentes.

Los GeneSiC MOSFETs de SiC de matriz desnuda de 6.5k se denominan G2R300MT65-CAL y G2R325MS65-CAL, y pronto se lanzarán módulos SiC completos que utilizan esta tecnología, según informó la empresa a Electronics Weekly.

«Este dispositivo puede utilizarse en diversos circuitos de conversión de potencia. Otras ventajas son un funcionamiento bidireccional más eficiente, una conmutación independiente de la temperatura, bajas pérdidas de conmutación y conducción, menores necesidades de refrigeración, una fiabilidad superior a largo plazo, facilidad para conectar dispositivos en paralelo y beneficios de costo», explicó Electronics Weekly.

Los dispositivos de GeneSiC tienen una estructura de dispositivo semiconductor de óxido metálico de doble implantación de SiC (DMOSFET), con un rectificador Schottky de barrera de unión (JBS) integrado en la celda unitaria del DMOSFET de SiC. Se prevé que las aplicaciones incluyan tracción, potencia pulsada, infraestructura de redes inteligentes y otros convertidores de potencia de media tensión.

Los dispositivos son:

G2R300MT65-CAL – 6.5kV 300mΩ G2RTM SiC MOSFET, chip desnudo

G2R325MS65-CAL – 6.5kV 325mΩ G2RTM SiC MOSFET (con Schottky integrado), chip desnudo

G2R100MT65-CAL – 6.5kV 100mΩ G2RTM SiC MOSFET, chip desnudo