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SISS04DN-T1-GE3 by vishay
Imagen de referencia - consulte las especificaciones del fabricante

Vishay

SISS04DN-T1-GE3

MOSFET Transistor - N-Channel - 30V Drain to Source Voltage - 50.5A(Ta) / 80A(Tc) Continuous Drain Current - +16V/-12V Vgs - P ...

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Cumple con RoHS
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Certificado de conformidad
Descripción +
MOSFET Transistor - N-Channel - 30V Drain to Source Voltage - 50.5A(Ta) / 80A(Tc) Continuous Drain Current - +16V/-12V Vgs - PowerPAK 1212-8S Package.
Palabras clave de búsqueda: SISS04DNT1GE3
Especificaciones +
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    Valor del atributo Seleccionar atributo
  • Proveedor:
    Vishay
  • Nº de pieza:
    SISS04DN-T1-GE3
  • Unidad de medida:
    Por unidad
  • RoHS:
    Sí
  • HTS:
    8541290095
  • COO:
    CN
  • ECCN:
    EAR99
  • Empaque estándar del proveedor: Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precio y disponibilidad.
    1
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Preguntas frecuentes
¿Cumple SISS04DN-T1-GE3 con la normativa RoHS?
Sí, SISS04DN-T1-GE3 cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de SISS04DN-T1-GE3?
El plazo de entrega estándar de SISS04DN-T1-GE3 es de aproximadamente 8 días. Las cantidades disponibles se envían desde OnlineComponents.com.
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