English
中文 / 汉语
Italiano
Português
Deutsch
Français
Русский
日本語
Türkçe
한국어
Español
Nederlands
onsemi
NCD57001DWR2G
Isolated high current and high efficiency SiC/MOSFET/IGBT gate driver with internal galvanic isolation
Ver hoja de datos Accesorios Notificarme
Cumple con RoHS
Certificado de conformidad
Descripción
+
Isolated high current and high efficiency SiC/MOSFET/IGBT gate driver with internal galvanic isolation
Palabras clave de búsqueda: NCD57001DWR2G
Especificaciones
+
-
Atributo del productoValor del atributo Seleccionar atributo
-
Proveedor:onsemi
-
Nº de pieza:NCD57001DWR2G
-
Unidad de medida:Por unidad
-
RoHS:Sí
-
HTS:8542390070
-
COO:US
-
ECCN:EAR99
-
Empaque estándar del proveedor:
1000
Herramientas/Modelos 3D
+
-
Caja de herramientas EE
Guías de productos
+
Hoja de datos
Preguntas frecuentes
¿Cumple NCD57001DWR2G con la normativa RoHS?
Sí, NCD57001DWR2G cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de NCD57001DWR2G?
El plazo de entrega estándar de NCD57001DWR2G es de aproximadamente 25 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde OnlineComponents.com.
Garantía de igualación de precio
We’ll meet or beat any authorized competitor’s published price for this part.
En stock: 0
MOQ para cantidad agotada:
250
25 Semanas
puede enviar
1/3/27
Precio (USD)
Cant.
Precio unitario
250
$4.85
500
$2.99
750
$2.36
1.000 +
$2.32
Haga clic para solicitar una cotización
Iniciar sesión
Para desbloquear precios especiales