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MJD127T4G
onsemi
8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
FICHA TÉCNICA Accesorios Notificarme
RoHS no cumple con RoHS
Certificate of Compliance Guarantee
Descripción
+
8.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Palabras clave de búsqueda: MJD127T4G
Especificaciones
+
-
Atributo del productoValor de atributo Seleccionar atributo
-
Proveedor:onsemi
-
Nº de pieza:MJD127T4G
-
Unidad de medida:Por Each
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RoHS:No
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HTS:8541290095
-
COO:MY
-
ECCN:EAR99
-
Paquete estándar del proveedor:
2500 -
Maximum Collector Emitter Voltage:100 V
-
Maximum Collector Base Voltage:100 V
-
Family:MJD127
-
Maximum Base Emitter Saturation Voltage:4.5@80mA@8A V
-
Dimension:6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.38(Max) mm
-
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:2@16mA@4A,4@80mA@8A V
Tools/3D Models
+
-
Caja de herramientas EE
Guías de productos
+
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