MJD112T4G

onsemi

2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

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RoHS no cumple con RoHS
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2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Palabras clave de búsqueda: MJD112T4G
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    Valor de atributo Seleccionar atributo
  • Proveedor:
    onsemi
  • Nº de pieza:
    MJD112T4G
  • Unidad de medida:
    Por Each
  • RoHS:
    No
  • HTS:
    8541290095
  • COO:
    MY
  • ECCN:
    EAR99
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