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onsemi
MJD112T4G
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
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| Atributo del producto | Valor del atributo Seleccionar atributo |
|---|---|
| Proveedor: | onsemi |
| Nº de pieza: | MJD112T4G |
| Unidad de medida: | Por unidad |
| RoHS: | No |
| HTS: | 8541290095 |
| COO: | MY |
| ECCN: | EAR99 |
Embalaje estándar del proveedor:
|
2500 |