- Hogar ›
- Todos los productos›
- Discrete Semiconductors ›
- Transistors ›
- Darlington ›
- MJD112T4G
MJD112T4G
onsemi
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
FICHA TÉCNICA Accesorios Notificarme
RoHS no cumple con RoHS
Certificate of Compliance Guarantee
Descripción
+
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Palabras clave de búsqueda: MJD112T4G
Especificaciones
+
-
Atributo del productoValor de atributo Seleccionar atributo
-
Proveedor:onsemi
-
Nº de pieza:MJD112T4G
-
Unidad de medida:Por Each
-
RoHS:No
-
HTS:8541290095
-
COO:MY
-
ECCN:EAR99
-
Paquete estándar del proveedor:
2500
Guías de productos
+
Garantía de igualación de precios
We’ll meet or beat any authorized competitor’s published price for this part.
En stock:
5.923
Puede enviar inmediatamente
Cantidad mínima de pedido:
100
27 Weeks
puede enviar
7/12/26
Precio (USD)
Qty
Precio por unidad
100
$0.3850
500
$0.2161
2.500
$0.2098
5.000
$0.2093
7.500
$0.2049
25.000
$0.2044
50.000 +
$0.2039
Haga clic para obtener una cotización
Inicia sesión
Para desbloquear precios especiales
CLIENTELA
TAMBIÉN COMPRADO