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onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
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Atributo del productoValor del atributo Seleccionar atributo
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Proveedor:onsemi
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Nº de pieza:MJD112-1G
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Unidad de medida:Por unidad
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RoHS:No
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HTS:8541290095
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COO:MY
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ECCN:EAR99
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Empaque estándar del proveedor:
75 -
Dimensión:6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
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Familia:MJD112
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Tensión colector-emisor máxima:100 V
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Tensión Máxima de Saturación Base-Emisor:4@40mA@4A V
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Tensión colector-base máxima:100 V
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Tensión de Saturación Colector-Emisor Máxima:2@8mA@2A,3@40mA@4A V