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FDN357N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ

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Cumple con RoHS
REEL embalaje
Certificado de conformidad
Descripción +
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ
Palabras clave de búsqueda: FDN357N
Especificaciones +
  • Atributo del producto
    Valor del atributo Seleccionar atributo
  • Proveedor:
    onsemi
  • Nº de pieza:
    FDN357N
  • Unidad de medida:
    Por unidad
  • RoHS:
    Sí
  • HTS:
    8541210095
  • COO:
    KR
  • ECCN:
    EAR99
  • Paquete en carrete: Esta información está destinada a los clientes que prefieren comprar múltiplos de la cantidad del embalaje estándar del fabricante. Las cantidades mínimas y los múltiplos de pedido requeridos se muestran junto con el precio y la disponibilidad.
    3000
Símbolo, huella y modelo 3D
Herramientas/Modelos 3D +
Guías de productos +
Preguntas frecuentes
¿Cumple FDN357N con la normativa RoHS?
Sí, FDN357N cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de FDN357N?
El plazo de entrega estándar de FDN357N es de aproximadamente 16 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde OnlineComponents.com.
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