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onsemi
FDN357N
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ
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Cumple con RoHS
Certificado de conformidad
Descripción
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ
Palabras clave de búsqueda: FDN357N
Especificaciones
+
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Atributo del productoValor del atributo Seleccionar atributo
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Proveedor:onsemi
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Nº de pieza:FDN357N
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Unidad de medida:Por unidad
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RoHS:Sí
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HTS:8541210095
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COO:KR
-
ECCN:EAR99
-
Empaque estándar del proveedor:
3000
Herramientas/Modelos 3D
+
-
Caja de herramientas EE
Guías de productos
+
Hoja de datos
Preguntas frecuentes
¿Cumple FDN357N con la normativa RoHS?
Sí, FDN357N cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de FDN357N?
El plazo de entrega estándar de FDN357N es de aproximadamente 30 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde OnlineComponents.com.
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