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2N7000
onsemi
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 Ω
FICHA TÉCNICA Accesorios Notificarme
Cumple con RoHS
Certificate of Compliance Guarantee
Descripción
+
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 Ω
Palabras clave de búsqueda: 2N7000
Especificaciones
+
-
Atributo del productoValor de atributo Seleccionar atributo
-
Proveedor:onsemi
-
Nº de pieza:2N7000
-
Unidad de medida:Por Each
-
RoHS:Yes
-
HTS:8541210095
-
COO:KR
-
ECCN:EAR99
-
Paquete estándar del proveedor:
10000 -
Channel Type:N
-
Maximum Continuous Drain Current:0.2 A
-
Dimension:5.2(Max) x 4.19(Max) x 5.33(Max) mm
-
Family:2N7000
-
Channel Mode:Enhancement
-
Maximum Drain Source Resistance:5000@10V mOhm
Tools/3D Models
+
-
Caja de herramientas EE
Guías de productos
+
FICHA TÉCNICA
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