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VN2460N8-G
Microchip Technology
N-channel vertical DMOS FET – Enhancement mode - 600V - 20Ohm – Si – SOT 89 3 - 1.6 W – 1.6 mm x 4.6 mm x 2.6 mm - 52,800 mg
FICHA TÉCNICA Accesorios Notificarme
Cumple con RoHS
REEL embalaje
Descripción
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N-channel vertical DMOS FET – Enhancement mode - 600V - 20Ohm – Si – SOT 89 3 - 1.6 W – 1.6 mm x 4.6 mm x 2.6 mm - 52,800 mg
Palabras clave de búsqueda: VN2460N8G
Especificaciones
+
-
Atributo del productoValor de atributo Seleccionar atributo
-
Proveedor:Microchip Technology
-
Nº de pieza:VN2460N8-G
-
Unidad de medida:Por Each
-
RoHS:Yes
-
HTS:8541290095
-
COO:PH
-
ECCN:EAR99
-
Reel Pack:
2000 -
Maximum Drain Source Resistance:20000@10V mOhm
-
Dimension:4.6(Max) x 2.6(Max) x 1.6(Max) mm
-
Material:Si
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Maximum Continuous Drain Current:0.2 A
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Configuration:Single Dual Drain
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Category:Power MOSFET
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Family:VN2460N8
-
Channel Mode:Enhancement
-
Channel Type:N
Tools/3D Models
+
-
Caja de herramientas EE
Guías de productos
+
データシート
Product Changes
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PCN - 09-NOV-2023 - Added assembly site
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