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APT75GP120JDQ3
Microchip Technology
Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543000mW 4-Pin SOT-227 Tube
FICHA TÉCNICA Accesorios Notificarme
Cumple con RoHS
TUBE embalaje
Descripción
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Trans IGBT Module N-CH 1200V 128A 543000mW 4-Pin SOT-227 Tube
Palabras clave de búsqueda: APT75GP120JDQ3
Especificaciones
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Atributo del productoValor de atributo Seleccionar atributo
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Proveedor:Microchip Technology
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Nº de pieza:APT75GP120JDQ3
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Unidad de medida:Por Each
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RoHS:Yes
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HTS:8541290095
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COO:PH
-
ECCN:EAR99
-
Paquete estándar del proveedor:
1 -
Dimension:38.26996mm(Max) x 25.4(Max) x 9.6(Max)mm
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Maximum Gate Emitter Leakage Current:0.1 uA
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Maximum Power Dissipation:543000 mW
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Maximum Collector-Emitter Voltage:1200 V
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Family:APT75GP120JDQ3
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Channel Type:N6994
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Maximum Gate Emitter Voltage:±20 V
-
Maximum Continuous Collector Current:128 A
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Configuration:Single Dual Emitter6995
Tools/3D Models
+
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Caja de herramientas EE
Guías de productos
+
FICHA TÉCNICA
PCN - 04-Feb-2021 - CUSTOMERS TO IMMEDIATELY PLACE THEIR 12-MONTH NON-CANCELLABLE NON-RESCHEDULABLE BACKLOG ON MICROCHIP
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