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APT75GN120LG
Microchip Technology
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 833000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
FICHA TÉCNICA Accesorios Notificarme
Cumple con RoHS
TUBE embalaje
Descripción
+
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 200A 833000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Palabras clave de búsqueda: APT75GN120LG
Especificaciones
+
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Atributo del productoValor de atributo Seleccionar atributo
-
Proveedor:Microchip Technology
-
Nº de pieza:APT75GN120LG
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Unidad de medida:Por Each
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RoHS:Yes
-
HTS:8541290095
-
COO:PH
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ECCN:EAR99
-
Paquete estándar del proveedor:
1 -
Maximum Gate Emitter Voltage:±30 V
-
Configuration:Single6975
-
Maximum Continuous Collector Current:200 A
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Dimension:20.56976mm(Max) x 5.21(Max) x 26.49(Max)mm
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Maximum Power Dissipation:833000 mW
-
Maximum Gate Emitter Leakage Current:0.6 uA
-
Channel Type:N6974
-
Family:APT75GN120L
-
Maximum Collector-Emitter Voltage:1200 V
Tools/3D Models
+
-
Caja de herramientas EE
Guías de productos
+
FICHA TÉCNICA
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