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APT30GN60BDQ2G
Microchip Technology
Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 203000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
FICHA TÉCNICA Accesorios Notificarme
Cumple con RoHS
TUBE embalaje
Descripción
+
Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 203000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Palabras clave de búsqueda: APT30GN60BDQ2G
Especificaciones
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Atributo del productoValor de atributo Seleccionar atributo
-
Proveedor:Microchip Technology
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Nº de pieza:APT30GN60BDQ2G
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Unidad de medida:Por Each
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RoHS:Yes
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HTS:8541290095
-
ECCN:EAR99
-
Paquete estándar del proveedor:
1 -
Maximum Power Dissipation:203000 mW
-
Maximum Collector-Emitter Voltage:600 V
-
Family:APT30GN60BDQ2
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Maximum Continuous Collector Current:63 A
-
Channel Type:N6974
-
Dimension:16.266976mm(Max) x 5.31(Max) x 21.46(Max)mm
-
Maximum Gate Emitter Voltage:±20 V
-
Configuration:Single6975
-
Maximum Gate Emitter Leakage Current:0.3 uA
Tools/3D Models
+
-
Caja de herramientas EE
Guías de productos
+
FICHA TÉCNICA
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