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APT100GN60B2G
Microchip Technology
Trans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
FICHA TÉCNICA Accesorios Notificarme
Cumple con RoHS
TUBE embalaje
Descripción
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 229A 625000mW 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Palabras clave de búsqueda: APT100GN60B2G
Especificaciones
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Atributo del productoValor de atributo Seleccionar atributo
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Proveedor:Microchip Technology
-
Nº de pieza:APT100GN60B2G
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Unidad de medida:Por Each
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RoHS:Yes
-
HTS:8541290095
-
ECCN:EAR99
-
Paquete estándar del proveedor:
1 -
Maximum Collector-Emitter Voltage:600 V
-
Channel Type:N6974
-
Maximum Power Dissipation:625000 mW
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Dimension:16.266976mm(Max) x 5.31(Max) x 21.46(Max)mm
-
Maximum Gate Emitter Leakage Current:0.6 uA
-
Maximum Continuous Collector Current:229 A
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Family:APT100GN60B2
-
Maximum Gate Emitter Voltage:±30 V
-
Configuration:Single6975
Tools/3D Models
+
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Caja de herramientas EE
Guías de productos
+
FICHA TÉCNICA
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