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Bourns
BSDV10G120E2
Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 10A - Vr: 1200V - Vf: 1.42V - -55°C to 175°C - TO247-2
Ver hoja de datos Accesorios Notificarme
Cumple con RoHS
TUBE embalaje
Certificado de conformidad
Descripción
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Silicon Carbide Shottky Barrier Diode - 10A - Vr: 1200V - Vf: 1.42V - -55°C to 175°C - TO247-2
Palabras clave de búsqueda: BSDV10G120E2
Especificaciones
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Atributo del productoValor del atributo Seleccionar atributo
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Proveedor:Bourns
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Nº de pieza:BSDV10G120E2
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Unidad de medida:Por unidad
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RoHS:Sí
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HTS:8541290095
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COO:CN
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ECCN:EAR99
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Empaque estándar del proveedor:
600
Herramientas/Modelos 3D
+
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Caja de herramientas EE
Guías de productos
+
Hoja de datos
Bourns Profile
Preguntas frecuentes
¿Cumple BSDV10G120E2 con la normativa RoHS?
Sí, BSDV10G120E2 cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de BSDV10G120E2?
El plazo de entrega estándar de BSDV10G120E2 es de aproximadamente 18 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde OnlineComponents.com.
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