- Hogar ›
- Todos los productos›
- Semiconductores Discretos ›
- Transistores ›
- Módulo IGBT ›
- NXH100B120H3Q0PTG
onsemi
NXH100B120H3Q0PTG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM
Ver hoja de datos Accesorios Notificarme
Cumple con RoHS
Certificado de conformidad
Descripción
+
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM
Palabras clave de búsqueda: NXH100B120H3Q0PTG
Especificaciones
+
-
Atributo del productoValor del atributo Seleccionar atributo
-
Proveedor:onsemi
-
Nº de pieza:NXH100B120H3Q0PTG
-
Unidad de medida:Por unidad
-
RoHS:Sí
-
HTS:8541290095
-
COO:CZ
-
ECCN:EAR99
-
Empaque estándar del proveedor:
24
Guías de productos
+
Preguntas frecuentes
¿Cumple NXH100B120H3Q0PTG con la normativa RoHS?
Sí, NXH100B120H3Q0PTG cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de NXH100B120H3Q0PTG?
El plazo de entrega estándar de NXH100B120H3Q0PTG es de aproximadamente 21 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde OnlineComponents.com.
Garantía de igualación de precio
We’ll meet or beat any authorized competitor’s published price for this part.
En stock: 0
Stock del fabricante:
144
puede enviar
MOQ para cantidad agotada:
6
21 Semanas
puede enviar
1/2/27
Precio (USD)
Cant.
Precio unitario
6
$75.81
12
$56.86
18
$53.06
24 +
$52.00
Haga clic para solicitar una cotización
Iniciar sesión
Para desbloquear precios especiales