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NXH008P120M3F1PTG

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Silicon Carbid ...

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Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package Silicon Carbide (SiC) Module ? EliteSiC, 8 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
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  • Proveedor:
    onsemi
  • Nº de pieza:
    NXH008P120M3F1PTG
  • Unidad de medida:
    Por unidad
  • RoHS:
  • HTS:
    8542390070
  • COO:
    KR
  • ECCN:
    EAR99
  • Empaque estándar del proveedor: Esta información se proporciona a los clientes que prefieren comprar en múltiplos de la cantidad del paquete estándar del fabricante. Las cantidades mínimas de pedido y los múltiplos de pedido requeridos se presentan con nuestra información de precio y disponibilidad.
    28
Símbolo, huella y modelo 3D
Herramientas/Modelos 3D +
Preguntas frecuentes
¿Cumple NXH008P120M3F1PTG con la normativa RoHS?
Sí, NXH008P120M3F1PTG cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de NXH008P120M3F1PTG?
El plazo de entrega estándar de NXH008P120M3F1PTG es de aproximadamente 19 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde OnlineComponents.com.
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