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onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
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| Atributo del producto | Valor del atributo Seleccionar atributo |
|---|---|
| Proveedor: | onsemi |
| Nº de pieza: | MJD112-1G |
| Unidad de medida: | Por unidad |
| RoHS: | No |
| HTS: | 8541290095 |
| COO: | MY |
| ECCN: | EAR99 |
Embalaje estándar del proveedor:
|
75 |
| Dimensión: | 6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm |
| Familia: | MJD112 |
| Tensión colector-emisor máxima: | 100 V |
| Tensión Máxima de Saturación Base-Emisor: | 4@40mA@4A V |
| Tensión colector-base máxima: | 100 V |
| Tensión de Saturación Colector-Emisor Máxima: | 2@8mA@2A,3@40mA@4A V |