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FDN357N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ

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Cumple con RoHS
embalaje
Certificado de conformidad
Descripción +
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.9A, 90mΩ
Palabras clave de búsqueda: FDN357N
Especificaciones +
Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Proveedor: onsemi
Nº de pieza: FDN357N
Unidad de medida: Por unidad
RoHS: Sí
HTS: 8541210095
COO: KR
ECCN: EAR99
Embalaje estándar del proveedor: La cantidad de artículos, la longitud, el peso o el volumen contenidos en el embalaje original del proveedor para facilitar un almacenamiento, una manipulación y una distribución eficientes. 3000
Símbolo, huella y modelo 3D
Herramientas/Modelos 3D +
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Preguntas frecuentes
¿Cumple FDN357N con la normativa RoHS?
Sí, FDN357N cumple con la normativa RoHS.
¿Cuál es el plazo de entrega de FDN357N?
El plazo de entrega estándar de FDN357N es de aproximadamente 16 semanas. Las cantidades disponibles se envían desde OnlineComponents.com.
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