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Samsung Semiconductor

IRFR220

Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

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Não Conformidade
Descontinuado
Embalagem
Certificado de conformidade
Descrição +
Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Palavras-chave de pesquisa: IRFR220
especificação +
  • Atributo do produto
    Valor do atributo Selecionar atributo
  • fornecedor:
    Samsung Semiconductor
  • Número do item:
    IRFR220
  • Unidade de medida:
    Por unidade
  • RoHS:
    Não
  • ECCN:
    EAR99
  • Embalagem Padrão do Fornecedor: Estas informações são fornecidas para clientes que preferem comprar em múltiplos da quantidade da embalagem padrão do fabricante. Quantidades mínimas de pedido e múltiplos de pedido obrigatórios são apresentados com nossas informações de preço e disponibilidade.
    2500
  • Resistência Dreno-Fonte Máxima:
    800@10V mOhm
  • Corrente de Dreno Contínua Máxima:
    4.6 A
  • Dimensão:
    6.73(Max) x 6.22(Max) x 2.39(Max) mm
  • Família:
    IRFR220
  • Tipo de Canal:
    N
  • Modo de Canal:
    Enhancement
Símbolo, footprint e modelo 3D
Ferramentas/Modelos 3D +
recursos +
  • Este produto foi descontinuado, mas ainda está em estoque.

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