Os transistores SiC (carboneto de silício) da GeneSiC,  O transistor de efeito de campo de silício-óxido metálico ou os transistores de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) oferecem tensão de bloqueio mais alta, com menor resistência no estado ligado e maior condutividade térmica em comparação com alternativas de silício. Eles podem ser usados para aplicações de conversão de potência de média tensão, como tração, potência pulsada e infraestrutura de rede elétrica inteligente.

Os GeneSic MOSFETs SiC bare die de 6,5k são designados G2R300MT65-CAL e G2R325MS65-CAL, com módulos SiC completos utilizando essa tecnologia sendo lançados em breve, informou a empresa à Electronics Weekly.

“Este dispositivo pode ser usado em diversos circuitos de conversão de potência. Outras vantagens incluem desempenho bidirecional mais eficiente, comutação independente da temperatura, baixas perdas de comutação e condução, requisitos reduzidos de resfriamento, confiabilidade superior a longo prazo, facilidade de colocação de dispositivos em paralelo e benefícios de custo,” explicou a Electronics Weekly.

Os dispositivos da GeneSiC possuem uma estrutura de dispositivo semicondutor de óxido metálico de duplo implante SiC (DMOSFET) com um retificador Schottky de barreira de junção (JBS) integrado à célula unitária do DMOSFET de SiC. Espera-se que as aplicações incluam tração, potência pulsada, infraestrutura de rede elétrica inteligente e outros conversores de potência de média tensão.

Os dispositivos são:

G2R300MT65-CAL – MOSFET SiC G2RTM de 6,5kV 300mΩ, chip sem encapsulamento

G2R325MS65-CAL – MOSFET SiC G2RTM de 6,5kV 325mΩ (com Schottky integrado), chip sem encapsulamento

G2R100MT65-CAL – MOSFET SiC G2RTM de 6,5kV 100mΩ, chip sem encapsulamento