GeneSiC lançou MOSFETs SiC de 3300V e 1700V 1000mΩ que “aprimoram e simplificam sistemas de energia em armazenamento de energia, energia renovável, motores industriais, inversores de uso geral e iluminação industrial,” relatou a Electronics Weekly.

GeneSiC Semiconductor declarou ter disponibilidade imediata dos modelos G2R1000MT17J, G2R1000MT17D e G2R1000MT33J, disponíveis nas opções de 1000mΩ e 450mΩ em encapsulamentos discretos SMD e de furo passante.

Os produtos lançados são: 

• G2R1000MT33J – MOSFET SiC G2R™ 3300V 1000mΩ TO-263-7 

• G2R1000MT17D – MOSFET SiC G2R™ 1700V 1000mΩ TO-247-3 

• G2R1000MT17J – MOSFET SiC G2R™ 1700V 1000mΩ TO-263-7 

• G3R450MT17J – MOSFET SiC G3R™ 1700V 450mΩ TO-263-7 

• G3R450MT17D– MOSFET SiC G3R™ 1700V 450mΩ TO-247-3.

Os MOSFETs SiC de 3300V e 1700V da GeneSiC são otimizados para projetos de sistemas de energia que exigem níveis elevados de eficiência e velocidades de comutação ultrarrápidas.