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onsemi
MJD112-1G
The MJD112-1G is an NPN Darlington power transistor designed for general-purpose power and switching applications.
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Atributo do produtoValor do atributo Selecionar atributo
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fornecedor:onsemi
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Número do item:MJD112-1G
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Unidade de medida:Por unidade
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RoHS:Não
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HTS:8541290095
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COO:MY
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ECCN:EAR99
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Embalagem Padrão do Fornecedor:
75 -
Dimensão:6.73(Max) x 2.38(Max) x 6.35(Max) mm
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Família:MJD112
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Tensão Coletor-Emissor Máxima:100 V
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Tensão Máxima de Saturação Base-Emissor:4@40mA@4A V
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Tensão Coletor-Base Máxima:100 V
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Tensão de Saturação Coletor-Emissor Máxima:2@8mA@2A,3@40mA@4A V