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Microchip Technology
APTGT50DDA120T3G
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
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Atributo do produtoValor do atributo Selecionar atributo
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fornecedor:Microchip Technology
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Número do item:APTGT50DDA120T3G
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Unidade de medida:Por unidade
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RoHS:sim
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HTS:8541590080
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ECCN:EAR99
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Embalagem Padrão do Fornecedor:
1 -
Família:APTGT50DDA120T3G
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Dissipação de potência máxima:270000 mW
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Dimensão:73.4 x 40.8 x 11.56996mmmm
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Corrente de Coletor Contínua Máxima:75 A
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Tensão gate-emissor máxima:±20 V
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Configuração:Dual6995
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Tipo de Canal:N6994
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Tensão coletor-emissor máxima:1200 V
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Corrente de fuga máxima gate-emissor:0.4 uA